創(chuàng)世威納公司(多圖)-磁控濺射裝置

鍍膜設(shè)備原理及工藝
前處理（清洗工序）
要獲得結(jié)合牢固、致密、無針1孔缺陷的膜層， 必須使膜層沉積在清潔、具有一定溫度甚至是的基片上。為此前處理的過程包括機(jī)械清洗(打磨、毛刷水洗、去離子水沖洗、冷熱風(fēng)刀吹凈)、烘烤、輝光等離子體轟擊等。機(jī)械清洗的目的是去除基片表面的灰塵和可能殘留的油漬等*， 并且不含活性離子， 必要時還可采用超聲清洗。烘烤的目的是*清除基片表面殘余的水份， 并使基片加熱到一定的溫度， 很多材質(zhì)在較高的基片溫度下可以增強(qiáng)結(jié)合力和膜層的致密性。基片的烘烤可以在真空室外進(jìn)行， 也可以在真空室內(nèi)繼續(xù)進(jìn)行， 以獲得更好的效果。但在真空室內(nèi)作為提供熱源的電源應(yīng)有較低的電壓， 否則易于引起放電。輝光等離子體轟擊清洗可以進(jìn)一步除去基片表面殘留的不利于膜層沉積的成份， 同時可以提高基片表面原子的活性。
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直流濺射法
直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰*，從而該方法只能濺射導(dǎo)體材料，磁控濺射裝置，不適于絕緣材料。因?yàn)檗Z擊絕緣靶材時，表面的離子電荷無法中和，這將導(dǎo)致靶面電位升高，外加電壓幾乎都加在靶上，兩*間的離子加速與電離的機(jī)會將變小，甚至不能電離，導(dǎo)致不能連續(xù)放電甚至放電停止，濺射停止。故對于絕緣靶材或?qū)щ娦院懿畹姆墙饘侔胁模氂蒙漕l濺射法（rf）。
直流磁控濺射技術(shù)
為了解決陰*濺射的缺陷，人們在20世紀(jì)開發(fā)出了直流磁控濺射技術(shù)，它有效地克服了陰*濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點(diǎn)，因而獲得了迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用。其原理是：在磁控濺射中，由于運(yùn)動電子在磁場中受到洛侖茲力，它們的運(yùn)動軌跡會發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運(yùn)動，其運(yùn)動路徑變長，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù)，使等離子體密度*，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質(zhì)量。同時，經(jīng)過多次碰撞而喪失能量的電子到達(dá)陽*時，已變成低能電子，從而不會使基片過熱。因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優(yōu)點(diǎn)。該方法的缺點(diǎn)是不能制備絕緣體膜，而且磁控電*中采用的不均勻磁場會使靶材產(chǎn)生顯著的不均勻刻蝕，導(dǎo)致靶材利用率低，一般僅為20%-30%。
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