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光刻膠
① 工藝角度普通的光刻膠在成像過程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻膠圖形的對比度，從而降低了圖形的分辨率。隨著*加工特征尺寸的縮小，入射光的反射和散射對提高圖形分辨率的影響也越來越大。為了提高*系統分辨率的性能，人們正在研究在*光刻膠的表面覆蓋*反射涂層的新型光刻膠技術。該技術的引入，可明顯減小光刻膠表面對入射光的反射和散射，從而改善光刻膠的分辨率性能，但由此將引起工藝復雜性和光刻成本的增加。② *系統伴隨著新一代*技術（ngl）的研究與發展，光刻膠多少錢，為了更好的滿足其所能實現光刻分辨率的同時，光刻膠也相應發展。**技術對光刻膠的性能要求也越來越高。③光刻膠的鋪展如何使光刻膠均勻地，按理想厚度鋪展在器件表面，實現工業化生產。④光刻膠的材料從光刻膠的材料考慮進行改善。
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光刻膠的主要技術參數
1．靈敏度（sensitivity）
靈敏度是衡量光刻膠*速度的指標。光刻膠的靈敏度越高，所需的*劑量越小。單位：毫焦/平方厘米或mj/cm2。
2．分辨率（resolution）
區別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關鍵尺寸（cd，critical dimension）來衡量分辨率。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。
光刻膠的分辨率是一個綜合指標，影響該指標的因素通常有如下3個方面：
(1) *系統的分辨率。
(2) 光刻膠的對比度、膠厚、相對分子質量等。一般薄膠容易得到高分辨率圖形。
(3) 前烘、*、顯影、后烘等工藝都會影響光刻膠的分辨率。
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光刻膠主要用于圖形化工藝
以半導體行業為例，光刻膠主要用于半導體圖形化工藝。圖形化工藝是半導體制造過程中的工藝。圖形化可以簡單理解為將設計的圖像從掩模版轉移到晶圓表面合適的位置。
一般來講圖形化主要包括光刻和刻蝕兩大步驟，分別實現了從掩模版到光刻膠以及從光刻膠到晶圓表面層的兩步圖形轉移，流程一般分為十步:1.表面準備，2.涂膠，光刻膠，3.軟烘焙，4.對準和*，5.顯影，6.硬烘焙，7.顯影檢查，8.刻蝕，9.去除光刻膠，10.終檢查。
具體來說，在光刻前首先對于晶圓表面進行清洗，主要采用相關的濕*，包括氨水等。
晶圓清洗以后用旋涂法在表面涂覆一層光刻膠并烘干以后傳送到光刻機里。在掩模版與晶圓進行對準以后，光線透過掩模版把掩模版上的圖形投影在光刻膠上實現*，這個過程中主要采用掩模版、光刻膠、光刻膠配套以及相應的氣體和濕*。
對*以后的光刻膠進行顯影以及再次烘焙并檢查以后，實現了將圖形從掩模版到光刻膠的次圖形轉移。在光刻膠的保護下，對于晶圓進行刻蝕以后剝離光刻膠然后進行檢查，實現了將圖形從光刻膠到晶圓的第二次圖形轉移。
目前主流的刻蝕辦法是等離子體干法刻蝕，光刻膠報價，主要用到含氟和含體。
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