生產(chǎn)電容-電容-春發(fā)電子(查看)

陶瓷電容的制作原理是什么
用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電*制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，film電容，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿。
向陶瓷電容器施加超過其額定電壓的電壓，會導(dǎo)致短路故障還是開路故障
一般來說，向電容器施加過量電壓后都會導(dǎo)致短路故障。片狀獨石陶瓷電容器的損壞電壓為其額定電壓的5~10倍以上，電容，稍高于額定電壓的外加電壓很難對電容器造成瞬間損壞。
但在使用中如向電容器施加的電壓超過其額定電壓，則不在保修范圍之內(nèi)。
電容器的電壓加速和溫度加速
通過電壓加速與溫度加速系數(shù)可推算出電容器的使用壽命。可將產(chǎn)品使用時的外部環(huán)境溫度及施加電壓作為參數(shù)進行公式化。 一般來說，生產(chǎn)電容，阿列紐斯法則被廣泛用于加速公式中，而我們運用以下公式便可簡單地進行推算。 47_01cn.png 在此公式的基礎(chǔ)上，通過在更為嚴(yán)苛的條件(更高溫、更高電壓)下進行加速試驗，可推算出產(chǎn)品在實際使用環(huán)境下的使用壽命。 在此，我們一起來比較一下獨石陶瓷電容器的加速試驗與實際產(chǎn)品使用的假定環(huán)境。我們將電容器的加速試驗中將耐久試驗時間視為la，將實際使用環(huán)境下的相當(dāng)年數(shù)視為ln，薄膜電容價格，用于上述公式。 耐久試驗條件 假定使用環(huán)境 電壓加速系數(shù) 溫度加速系數(shù) 相應(yīng)年限 ta＝85°c va＝20v la＝1000h tn＝65°c vn＝5v n＝4 θ＝8 ln＝？h 這樣，我們即可通過在85°c、施加20v電壓的環(huán)境下進行了1000h的耐久試驗，推算出在5°c、施加5v電壓的環(huán)境下產(chǎn)品使用年限為1448155h(≒165年！)。計算中使用的電壓加速系數(shù)、溫度加速系數(shù)會由陶瓷材料的種類及構(gòu)造產(chǎn)生不同，但通過加速計算公式可在相對較短的時間內(nèi)利用試驗結(jié)果來驗證長時間的實際使用環(huán)境中的產(chǎn)品使用壽命。
電容器在電源中的應(yīng)用之浪涌電壓保護
開關(guān)頻率很高的現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件易受潛在的損害性電壓尖峰脈沖的影響。跨接在功率半導(dǎo)體器件兩端的浪涌電壓保護電容器通過吸收電壓脈沖限制了峰值電壓，從而對半導(dǎo)體器件起到了保護作用，使得浪涌電壓保護電容器成為功率元件庫中的重要一員。
半導(dǎo)體器件的額定電壓和電流值及其開關(guān)頻率左右著浪涌電壓保護電容器的選擇。由于這些電容器承受著很陡的dv/dt值，因此，對于這種應(yīng)用而言，薄膜電容器是恰當(dāng)之選。
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