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濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)高,一般要求如,尺寸、平整度、純度、各項(xiàng)雜質(zhì)含量、密度、n/o/c/s、晶粒尺寸與缺陷控制;較高要求或特殊要求包含:表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、*(氧化物)含量與尺寸、導(dǎo)磁率、超高密度與超細(xì)晶粒等等。磁控濺射鍍膜是一種新型的物相鍍膜方式,就是用電子槍系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上,使其被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。 濺射靶材有金屬,合金,陶瓷化合物等。
超純金屬的檢測(cè)方法*為困難。痕量元素的化學(xué)分析系指一克樣品中含有微克級(jí)(10克/克)、毫微克級(jí)(10克/克)、微微克級(jí)(10克/克)雜質(zhì)的確定。常用的手段有中子和帶電粒子活化分析,原子吸收光譜分析,熒光分光光度分析,銀合金靶材誰(shuí)家好,質(zhì)譜分析,化學(xué)光譜分析及氣體分析等。在單晶體高純材料中,晶體缺陷對(duì)材料性能起顯著影響,稱(chēng)為物理雜質(zhì),主要依靠在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中控制單晶平穩(wěn)均勻的生長(zhǎng)來(lái)減少晶體缺陷。
在儲(chǔ)存技術(shù)方面,高密度、大容量硬盤(pán)的發(fā)展,需要大量的巨磁阻薄膜材料,遼寧銀合金靶材,cof~cu多層復(fù)合膜是如今應(yīng)用廣泛的巨磁阻薄膜結(jié)構(gòu)。磁光盤(pán)需要的tbfeco合金靶材還在進(jìn)一步發(fā)展,用它制造的磁光盤(pán)具有存儲(chǔ)容量大,壽命長(zhǎng),銀合金靶材廠家,可反復(fù)無(wú)接觸擦寫(xiě)的特點(diǎn)。如今開(kāi)發(fā)出來(lái)的磁光盤(pán),具有tbfeco/ta和tbfeco/al的層復(fù)合膜結(jié)構(gòu),tbfeco/ai結(jié)構(gòu)的kerr旋轉(zhuǎn)角達(dá)到58,而tbfecoffa則可以接近0.8。經(jīng)過(guò)研究發(fā)現(xiàn),低磁導(dǎo)率的靶材高交流局部放電電壓l*電強(qiáng)度。
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