MCD700-12io1全國供應商MCD700-16io1艾賽斯可控硅模塊

德國ixys艾賽斯可控硅模塊--可控硅是一種以硅晶體為材料的p1n1p2n2四層三端器件的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、軍事科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。
鑒別三極方法
鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據p-n結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。
陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個p-n結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。
控制極與陰極之間是一個p-n結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在r*10或r*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。
若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。
1、柵極上的噪聲電平：在有電噪聲的環境中，如果柵極上的噪聲電壓超過vgt，并有足夠的柵電流激發可控硅(晶閘管)內部的正反饋，則也會被觸發導通。
應用安裝時，首先要使柵極外的連線盡可能短。當連線不能很短時，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后g與mt1之間加一個1kω的電阻來降低其靈敏度，也可以再并聯一個100nf的電容，來濾掉高頻噪聲。
2、關于轉換電壓變化率：當驅動一個大的電感性負載時，在負載電壓和電流間有一個很大的相移。當負載電流過零時，雙向可控硅(晶閘管)開始換向，但由于相移的關系，電壓將不會是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關斷這個電壓。如果這時換向電壓的變化超過允許值時，就沒有足夠的時間使結間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導通狀態。
為了克服上述問題，可以在端子mt1和mt2之間加一個rc網絡來限制電壓的變化，以防止誤觸發。一般，電阻取100r，電容取100nf。值得注意的是此電阻不能省掉。
3、關于轉換電流變化率：當負載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時，會使轉換電流變化率變高，這種情況最易在感性負載的情況下發生，很容易導致器件的損壞。此時可以在負載回路中串聯一只幾毫亨的空氣電感。
4、關于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率dvd/dt：在處于截止狀態的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的vdfm的高速變化的電壓時，內部電容的電流會產生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導通。這在高溫下尤為嚴重，在這種情況下可以在mt1和mt2間加一個rc緩沖電路來限制vd/dt，或可采用高速可控硅(晶閘管)。
5、關于連續峰值開路電壓vdrm：在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續峰值開路電壓vdrm的值，此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導通。如果負載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導通。導致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈，容性負載或短路保護電路會產生較高的浪涌電流，這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上 。
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艾賽斯ixys半控可控硅模塊：