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光刻膠的未來發(fā)展
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由于光刻膠的技術(shù)壁壘較高，國內(nèi)光刻膠市場基本被國外企業(yè)壟斷。特別是高分辨率的krf和arf光刻膠，基本被日本和美國企業(yè)占據(jù)。
國內(nèi)光刻膠生產(chǎn)商主要生產(chǎn)pcb光刻膠，面板光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠生產(chǎn)規(guī)模相對較小。國內(nèi)生產(chǎn)的光刻膠中，pcb光刻膠占比94%，lcd光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠占比分別僅有3%和2%。
國內(nèi)光刻膠需求量遠(yuǎn)大于本土產(chǎn)量，且差額逐年擴(kuò)大。由于國內(nèi)光刻膠起步晚，目前技術(shù)水平相對落后，rr5光刻膠公司，生產(chǎn)產(chǎn)能主要集中在pcb光刻膠、tn/stn-lcd光刻膠等中低端產(chǎn)品，tft-lcd、半導(dǎo)體光刻膠等高技術(shù)壁壘產(chǎn)品產(chǎn)能很少，仍需大量進(jìn)口，從而導(dǎo)致國內(nèi)光刻膠需求量遠(yuǎn)大于本土產(chǎn)量。
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一般來說線寬的用正膠，線窄的用負(fù)膠，正性光刻膠比負(fù)性的精度要高，負(fù)膠顯影后圖形有漲縮，rr5光刻膠，負(fù)性膠限制在2~3μm.，而正性膠的分辨力優(yōu)于0.5μm 導(dǎo)致影響精度，正性膠則無這方面的影響。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負(fù)性膠的分辨率，但是薄負(fù)性膠會影響。同種厚度的正負(fù)膠，在對于*濕法和腐蝕性方面負(fù)膠更勝一籌，rr5光刻膠價格，正膠難以企及。
光刻膠按用途分類
光刻膠經(jīng)過幾十年不斷的發(fā)展和進(jìn)步，應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大，衍生出非常多的種類，按照應(yīng)用領(lǐng)域，光刻膠可以劃分為印刷電路板(pcb)用光刻膠、液晶顯示(lcd)用光刻膠、半導(dǎo)體用光刻膠和其他用途光刻膠。其中，pcb 光刻膠技術(shù)壁壘相對其他兩類較低，而半導(dǎo)體光刻膠代表著光刻膠技術(shù)水平。
(1)半導(dǎo)體用光刻膠
在半導(dǎo)體用光刻膠領(lǐng)域，光刻技術(shù)經(jīng)歷了紫外全譜(300～450nm)、g 線(436nm)、i 線 (365nm)、深紫外(duv，包括 248nm 和 193nm)和*紫外(euv)六個階段。相對應(yīng)于各*波長的光刻膠也應(yīng)運而生，光刻膠中的關(guān)鍵配方成份，如成膜樹脂、光引發(fā)劑、添加劑也隨之發(fā)生變化，使光刻膠的綜合性能更好地滿足工藝要求。
(2)lcd光刻膠
在lcd 面板制造領(lǐng)域，光刻膠也是*其關(guān)鍵的材料。根據(jù)使用對象的不同，可分為 rgb 膠(彩色膠)、bm膠(黑色膠)、oc 膠、ps 膠、tft 膠等。
光刻工藝包含表面準(zhǔn)備、涂覆光刻膠、前烘、對準(zhǔn)*、顯影、堅膜、顯影檢查、刻蝕、剝離、終檢查等步驟，以實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移，制造特定的微結(jié)構(gòu)。
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